哪位高人能解释一下，哪个部分故障会导致下图中Uc'e大于Uce?（这里e点指控制柜柜体金属部分）
图中所有数据均为实测
双向可控硅由功率控制板控制触发

以上数据是有负载状态，三相负载平衡吗？进电源强度。三个可控硅性能必须一致

引用 超级大手 在 2020/2/27 5:05:28 发言【内容省略】

负载状态不确定，极有可能不平衡，电源容量足够大，可控硅参数有无变化不确定

因为负载中性点不接地，所以一定有中性点漂移，但是估计了几种状态，总不能准确地解释这种现象

如此看来不能再讨论下去，没意义。除非换成一百六十安以上接触器重新测量，

在进线端（可控硅之前）测电流，看与原所测电流是否一致。
负载不平衡(或负载电流不平衡)，可能会出现所述现象；可试用相量分析，看能否找到合理解释。
若为电阻性负载，看能否可先测量、判断三相负载是否平衡。
若为故障，亦可检查可控硅的触发、导通情况，及询问之前有无相关经验者。
负载对壳电阻，亦可顺便留意。

引用 mjinbao 在 2020/2/27 11:28:47 发言【内容省略】

可控硅前后电流一致。
负载原来是平衡的，但有可能有加热棒烧断，所以负载极可能不平衡。
可控硅下方电压高于上方电压，不知道是测量误差（感应电压影响？，谐波影响？），还是实际中确实有这种状况？

按C相可控硅上的压降过大，又测量方法一致，所测电压应当是可资比较的；
如果能够画相量图分析，或许可解释这一现象（但我现在不知如何作图了）。
通俗理解，或许是相隔可控硅后，电压进行了再分配；
又经过可控硅而平衡了。
当然，这是牵强的推测。

负载端谐波很大，电源端受到电源制约谐波分量少，这些说白了就是谐波干扰导致的

测一下公共端与零线电压