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主题:基于DS18B20测温系统解决方案

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英创嵌入式主板以其优异的稳定性、独特的设计及方便使用等优点,在嵌入式领域占有一席之地。在工业现场,经常有监测环境温度的需求,本方案应用DS18B20为温度采集芯片,与英创嵌入式主板的GPIO相连,就可以组成完整的测温系统。由于DS18B20每条总线上可以最多接8个测温点,那么英创嵌入式主板至少可以接64个测温点。
     DS18B20数字温度计是DALLAS公司生产的1-Wire即单总线器件,具有线路简单,体积小的特点。实际应用中不需要外部任何元器件即可实现测温,测量温度范围在-55°C到+125°C之间,数字温度计的分辨率用户可以从9位到12位选择;并且内部有温度上、下限告警设置,使用非常方便。
     TO-92封装的DS18B20的引脚排列见图1,其引脚功能描述见表1。
图1  DS18B20管脚示意图
表1 DS18B20详细引脚功能描述:
序号

名称

引脚功能描述

1  GND  地信号
2  DQ  数据输入/输出引脚。开漏单总线接口引脚。
当被用着在寄生电源下,也可以向器件提供电源。

3  VDD  可选的VDD引脚。当工作于寄生电源时,此引脚必须接地。
DS18B20的使用方法
     由于DS18B20采用的是1-Wire总线协议方式,即在一根数据线实现数据的双向传输,而对嵌入式主板来说,硬件上并不支持单总线协议,因此,我们必须采用GPIO的方法来模拟单总线的协议时序来完成对DS18B20芯片的访问。在本示例中,只需把管脚2接英创嵌入式主板的GPIO,管脚3接5V电源,管脚1接地,就可以搭建起测试环境,如图二所示。如果需要测试多点温度,可以把多个DS18B20并起。
图2 嵌入式主板与DS18B20连接示意图      由于DS18B20是在一根I/O线上读写数据,因此,对读写的数据位有着严格的时序要求。DS18B20有严格的通信协议来保证各位数据传输的正确性和完整性。该协议定义了几种信号的时序:初始化时序、读时序、写时序。所有时序都是将嵌入式主板作为主设备,单总线器件作为从设备。每一次命令和数据的传输都是从主机主动启动写时序开始,如果要求单总线器件送回数据,在进行写命令后,主机需要启动读时序完成数据接收。数据和命令的传输都是低位在先。
     下面是18B20的时序图,根据时序的要求,改变GPIO的电平,可以完成18B20的操作。
DS18B20复位时序
图3 DS18B20复位时序      根据以上DS18B20的时序,初始化的函数如下:
     Init18b20()
     {
           char flag;
           OutBit(1);
           Delayus(1);
           OutBit(0);
           Delayus(600);    //复位信号480—960us
           OutBit(1);
           Delayus(60);     //等待15-60us
           if(ReadBit())   //检查存在电平,如果为低,说明18B20正确复位
           {
                 printf('init fail');
                 return false;    //detect 1820 fail!
           }
           else
           {
                 Sleep(1);      
                 OutBit(1);
                 return true;  //detect 1820 success!
           }
     }
     DS18B20的数据读写时通过时间间隙处理位和命令字来确认信息交换。
DS18B20的写时间隙
     当主机把数据线从逻辑高电平拉到逻辑低电平的时候,写时间隙开始。有两种写时间隙:写1时间隙和写0时间隙。所有写时间隙必须最少持续60us,包括两个写周期间至少1us的恢复时间。
     I/O线电平变低后,DS18B20在一个15us到60us的窗口内对I/O线采样。如果线上是高电平,就是写1,如果线上是低电平,就是写0。如图所示。
图4 DS18B20写时序图      void DS18B20::WriteByte(uchar wr)
     {
           uchar i;
           OutBit(1);
           Delayus(1);
           for (i=0;i<8;i++)   //写8bit
           {
                 OutBit(0) ;     // 总线拉低,写间隙开始
                 Delayus(10);   //延时 2-12us
                 OutBit(wr&0x01) ;  //写数据到总线
                 Delayus(30);    //在15us—60us之间采用
                 OutBit(1);   //释放总线
                 wr >>= 1;
                 Delayus(2);
           }
           Sleep(1);  //字节之间最好间隔的稍微长一点
     }
DS18B20的读时间隙
     当从DS18B20读取数据时,主机生成读时间隙。当主机把数据线从高电平拉到低电平时,读时间隙开始,数据线必须保持至少1us;从DS8B20输出的数据在读时间隙的下降沿出现后15us内有效。对于DS18B20的读时隙是从主机把总线拉低之后,在15微秒之内就得释放单总线,以让DS18B20把数据传输到单总线上。DS18B20在完成一个读时序过程,至少要60us才能完成。
图5 DS18B20读时序图      根据以上的读时序图,读字节函数如下:
     UCHAR DS18B20::ReadByte()
     {
           uchar i,u=0;
           OutBit(1);
           Delayus(1);
           for(i=0;i<8;i++)  //读一字节
           {
                 OutBit(0) ;   // 总线拉低,读间隙开始
                 Delayus(2);
                 OutBit(1) ;  //拉高总线
                 Delayus(4);  //在1-14us之内读取总线数据
                 u >>= 1;
                 if(ReadBit()==1)  u |= 0x80;  
                 Delayus(60);  //读取数据周期至少60us
                 OutBit(1) ;
           }
           return(u);
     }
     在读温度之前,要先启动温度转换,如果采用寄生电源供电,温度转换的时间应该大于500毫秒。对于一条总线的多个18B20来说,启动转换不需要匹配18B20的ROM地址。
     void DS18B20::StartConvert()
     {
           Init18b20 ();
           WriteByte(0xcc);     //跳过ROM
           WriteByte(0x44);     //启动转换命令
     }
     在读指定的18B20时,就要先发匹配命令,再发ROM序列号,具体请参考下面的程序:
     void DS18B20::TemperatuerResult(char id)
     {
           uchar i;
           Init18b20 ();
           WriteByte(0x55);      //匹配ROM地址
           for(i=0;i<8;i++)   //发18B20地址码
           {
                 WriteByte(b20rom[id][i]);  
           }
           WriteByte(0xbe);      //发读温度命令
           read_bytes(2);    //前2个字节为温度值
           temp=temp_buff[1]&0x0f; //去掉符号位
           temp=temp<<8;
           temp=temp+temp_buff[0];
           Temperature=temp*0.0625; //得到温度值
     }
     源程序请参考光盘源码。
 
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10-05-07 21:00

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