以上是电路简图.
电路的要求是,在一秒内转换一次线圈磁场方向.
原来的电路就是这样子的.
可是接触器烧得冒烟........火花太大了.
我现在改用了可控硅+IGBT来代替了物理触点....(因为IGBT是全控器件,可以可控关断.)
可是,这约线圈的感生电压超高,把这IGBT烧了...
经测试,电压约有2400到2600V.
我的IGBT和可控硅耐压都才1200V.
于是就加了个1000V的压敏电阻.
可是,问题又来了:
这压敏电阻只工作几秒就爆了~~
分析原因,是因为感应的能量太强,它消耗不了.
可是现在找不到很大功率的压敏电阻啊......
我已经试过的方法:
并RC吸收回路+压敏电阻,R=4欧50W,C=100uF/330AC(CBB电容),压敏电阻=820V
可以工作一段时间(约一个小时左右)
但一但压敏阻挂了,IGBT马上就爆.....
不知大家还有没有更好的办法,来让这线圈上的电压下降到1200V以内?
谢谢!!

我记得你以前好象提过这个问题，控制的是电磁铁吧。能不能用两个电磁铁，交替动作，这样就不要考虑断路瞬间的自感电动势了。

[size=2]在你的图纸中的整流桥的输出并联续流二极管!
阴极接正输出,阳极接负输出即可![/size]

非常感谢楼上的楼上及楼上的回答~~HEHE
TO 楼上的楼上:
用双线圈的想法也有过,但是.....主要是您不清楚我这里的情况.
那种方案基本无法实现的......
TO 楼上:

引用 xinjihua 在 2006-9-24 22:26:00 发言【内容省略】

关于这个,我觉得好象没什么必要吧?
因为全桥整流电路,本身就等效于两组二极管串联后再并联,这样,只要不烧坏,应该是起到了续流二极管的作用!

并联放电电阻行不?

现在这IGBT的耐压就是1200V的,电流已经足够了(两只并联).
在图中的两处RCD吸收网络里,C两端都并联了820V的压敏电阻.
另外,IGBT的CE端也并联了200V与820V的压敏电阻.
可是还是烧!!
使用RCD网络的原因是,我不需要对反向的过压作保护,因为工作电流非常小,3A左右.
同时反向转正向的时间非常长,足够那些反压消失了.
以上是我目前的情况.
工作过程如下:
正向时:
         三个双向SCR开通,主整流得电;
         单向可控硅1,4及IGBT导通;
         线圈得电,以最大电流工作;
暂停时:(这个状态是不得已而设置的,因为要让电路有时间转换)
         三双向OFF,主整流断电;
         单向可控硅及IGBT全OFF;(此时IGBT击穿)
反向时:
         三双向ON;
         单向可控硅2,3ON;
         线圈得反向电压,开始反向工作.
主要是,我实在是找不到1200V以上的大电流管子........
有一个CM200HG-90H的IGBT模块,200A / 4500V,可是,一是找不到.二是,就算找到了,应该也是天价....( 我在国外网站上看到有报价,是232000XX的,XX绝对不是日元....)
现在,只能考虑"如何把反向电压控制在1200V以内"了.
PS:
加了RCD吸收网络后,那几只压敏电阻一个也没烧,也没有一点温度.
但还是烧管子....(80多一只啊,都烧了十几只了,为了试这个电路......- -!)
我怀疑是压敏电阻的速度太慢,以至于有瞬间的尖峰时而不能及时控制下来.
型号:  821D20
不知道它的速度是多少?

另外2楼的朋友还记得我问过这个问题的啊?
呵呵
没错,我好象是在今年年初也发过这帖子.
由于本人资历实在有限,这么长时间以来都还没有达到设计要求,惭愧啊........-_-||||||

感谢5楼的回复.
目前已经并联RCD网络,长时间的高压已经消失(用机械表测不出来)
我没有示波器,没办法看波形.
但估计是一上升率超高的波形..........
不知道有没有快速的元件可以搞定它?

我赞成用双电磁铁，情况实在不允许可以加一个大的负载电阻与电磁铁并连。

没有理解你的真正用途!
在这里用IGBT的是否有必要?
根据你的叙述:
只要关断BCR(双向可控硅)即可关断电源.没有必要再加IGBT.
SCR还不如用原来的接触器电路.同时利用整流电路做续流管,再在接触器的触头的公共点分别与常闭和常开点之间并接电容器1微法,消除浪涌电流即可.