引用 lintv 在 2013/5/16 17:35:18 发言【内容省略】

楼主技术确实不错！！！

引用 lintv 在 2013/5/16 17:28:42 发言【内容省略】

帖子已经几天了，突然有了一个问题，在这里请教：
你这种交流移相触发的电路，如果是纯电阻负载，他的电压电流波形是保持同相位的吗？也就是说他能做到与自耦交流调压器一样的效果吗？因为可控硅的移相触发，是把正弦波像切馒头片一样的切掉，所以正弦波被严重的失真，但是，如果能保证电压电流相位的一致，那功率因数就应该是1附近，
我用三相整流在直流侧负载为纯电阻，移相触发，功率因数就不是1。而且，触发角越小，功率因数越差。不知道楼主在交流调压时，是否做过功率因数的测试呢？是不是也是达不到1的标准？
当然，如果是IGBT的交流调压电路，它的输出近似正弦波，而且IGBT有电压电流相位调节的功能，所以，功率因数可以实现近似为1。

移相交流调压输出的负载如果是个纯电阻，那电压与电流波形是同相位的，功率因数为1。
IGBT的交流调压原理与可控硅相差很大。
IGBT调压原理：380V经过整流电路后得到500v直流，然后采用4只或6只IGBT组成桥式输出，把500v直流转换成交流，转换时加入高频（30khz）PWM载波，通过控制高频载波的占空比大小而改变输出电压，IGBT电路的功率因数与前端整流电路有关，与负载没有关系。
可控硅是交流变交流，通过移相（切馒头）改变输出电压，功率因数由负载决定，与移相角没有关系。
可控硅调压电路的优势是：高压+大功率，1000A、400v仅是入门级，对于IGBT已经够呛了。

触发角很小时，交流调压的功率因数也是1吗？（纯电阻负载）那整流的情况却不是这样的。触发角小时，功率因数很低。我做过实验。不行。最后改成调压器了。用IGBT的y调压就没问题。
此问题一直是心病。

触发角很小时，交流调压的功率因数也是1吗？（纯电阻负载）？
对功率因数个人理解为：只要是纯电阻负载，不论移相触发角大小，均是1，整流后也是1。
您在做实验时发现触发角小时，功率因数很低。可能与你的测量仪表和方式有关，可否把应用电路贴出来让大家探讨？