mos管的基本参数，大家熟悉的必然是Ids电流，Ron导通电阻，Vgs的阈值电压，Cgs、Cgd、Cds这几项，然而在高速应用中，开关速度这个指标比较重要。
上图四项指标，第一项是导通延时时间，第二项是上升时间，第三项是关闭延时时间，第四项是下降时间。定义如下图：
在高速H桥应用中，MOS管内部的反向并联寄生二极管的响应速度指标Trr，也就是二极管的反向恢复时间这个指标很重要，否则容易炸机，下图为高速二极管。
高速下，二极管也不是理想的，二极管导通后，PN节中充满了电子和空穴，当瞬间反向加电的时候，需要时间恢复截止，这个类似一扇门打开了，需要时间关上，但在高速下，这个关上的时间太长，就会导致H桥上下管子导通而烧坏。所以在高速应用中，直接因为MOS管工艺寄生的二极管的反向恢复时间太长，所以需要用特殊的工艺制作实现高速的内置二极管，但哪怕特殊工艺制作的，其性能也达不到独立的高速二极管性能，只是比原MOS管寄生的指标强一些而已，但已经满足大部分软开关的需求了，500KHz下没问题。比如Infineon的C6系列，后缀带CFD的管子，内部的二极管就是高速的。
若有些场合需要更高速的二极管，而内置的二极管性能达不到，则需要特殊的处理方式，MOS管先串联二极管，再外部并二极管，这样子实现，可以应用于频率超过500KHz的场合。

 学习了，记得步进电机步进绕组的每个步进脉冲启动是先高压启动后低压维持的过程。

谢谢楼主的分享。