可控硅的3种触发方式：
1.强电触发:   采用MOC3061、MOC3021等高压光耦，从可控硅的A极引入触发电压，这种触发不需要其他触发电源，电路非常简单，主要元器件工作在400V强脉冲环境，可靠性最差。   采用触发二极管（DB3）电路与这种结构相似。
2.变压器隔离触发: 这是工业上最常用结构，优点是强弱电隔离触发波形好，缺点是长脉冲触发时变压器体积太大，成本高电路复杂。元器件工作在100V脉冲环境，可靠性一般。
3.隔离电源直流触发: 图片上的这种触发结构，缺点是功耗较大，发热量大。优点是强弱隔离触发电流大，低频长脉冲、高频脉冲串等都适用，电路简单成本低，元器件工作在20V脉冲环境。可靠性好。这种机构的移相触发器经半年多实际使用(10kw变压器负载，镀铝机蒸发舟加热)，极少出现烧保险丝和烧可控硅现象，原来是采用变压器触发结构，经常烧保险丝，可控硅也有损坏。
以上仅是一己拙见，请大家谈谈各自看法。

这个东西如果在n年以前，就是很好的。现在嘛，不是很受用了。原因也很简单。可控硅现在已经都是模块化的生产了，甚至把触发单元做到了模块内部，一个桥式整流电路只好把强电线和弱电线接入端子就ok了。体积很小，没有分立元件。高度集成的模块化产品。非常实用、方便。他叫“智能可控硅模块”，分为双向和单向的两种。也就是交流调功和整流调压两种。

“智能模块”使用确实很方便，估计里面是：1.强电触发: 采用MOC3021等高压光耦。
请坛内高人传个砸开的“智能模块”内部照片，看看里面究竟是些什么芯片，研究研究大家都会做模块啦！

用得少了