登录
首页
单片机论坛
回帖
发帖
正文
主题:可控硅的阻容吸收问题
点击:4313 回复:5
楼主
编辑
引用
管理
bdblacksun
我用两支单向可控硅并联组成一个双向可控硅,带的是感性负载。1200V/15A的单向可控硅两支,实际过电流要小。有个朋友给出的阻容吸收是电阻10K/5W 电容式474.可在实际应用中电阻很烫手,而且可控硅还是频频烧掉。请高手们指点。
09-02-09 11:58
1楼
编辑
引用
管理
大名小名
你把电阻加大一个型号试一试!
09-02-09 14:44
2楼
编辑
引用
管理
甘陵至尊
实际的过电流是多少
09-02-09 23:14
3楼
编辑
引用
管理
kewen520
我也想知道该如何
09-02-10 02:30
4楼
编辑
引用
管理
yongjiou
烧掉和击穿是两回事.
加阻容是防止电感的感应电压和电源电压叠加击穿可控硅, 而烧毁是电流过大超过负荷所致.
09-02-13 20:17
5楼
编辑
引用
管理
ahljj
有没有相关的选型计算公式啊
10-07-13 15:41
工控新闻
西门子与辽宁深化数字化合作:“数字辽宁-西门子赋能中心”推动全面振兴
安森美将在PCIM Asia 2025展示汽车、工业与AI数据中心前沿电源创新技术
施耐德电气Harmony工业控制元器件:直面严苛工况,守护稳定运行
华北工控| FW-1108HG:搭载海光3000系列处理器,适用于AI算力数据中心
施耐德电气六赴服贸会,新质服务体系再升级,赋能产业向“新”行
华北工控BIS-6620K-B10:超高能效、丰富接口的模块化AI整机方案
西克|重点推介 - Dx100 激光距离传感器
尼得科将参展欧洲国际机床展览会(EMO2025)
更多新闻资讯