一:实时时钟模块
1.内置晶振.电池.两线式串行接口.定时中断输出.高精度.免调校SD2400A系列
2.内置晶振、电池、串行NVSRAM\E2PROM、I2C总线接口、中断输出 、数字精度补偿SD2200系列
二.实时时钟芯片 SD2068A
特性
低功耗： 1.0μA 典型值(VBAT =3.0V，Ta=25℃）。
工作电压：1.8～5.5V，工作温度：-40℃～+85℃。
标准IIC 总线接口方式,最高速度400KHZ(4.5V～5.5V)。
年、月、日、星期、时、分、秒的BCD 码输入/输出,并可通过独立的地址访问各时间寄存器。
闰年自动调整功能(从2000 年～2099 年)。
可选择12/24 小时制式.
内置年、月、日、星期、时、分、秒共7 字节的报警数据寄存器及1 字节的报警允许寄存器。
内置12 字节通用SRAM 寄存器可用于存储用户的一般数据。
三种中断均可选择从INT 脚输出,并具有两个中断标志位.
可设定并自动重置的单路报警中断功能（时间范围最长设至100 年）,年、月、日、星期、时、
分、秒报警共有96 种组合方式，并有单事件报警和周期性报警两种中断输出模式.
周期性频率中断输出:从64Hz～1/16Hz⋯⋯1 秒共十二种方波脉冲.
自动重置的8 位倒计时定时器,可选的3 种时钟源（64HZ、1HZ、1/60HZ）。
内置时钟精度数字调整功能，可通过程序来调整走时的快慢。用户采用外置的温度传感器，设
定适应温度变化的调整值，可实现在宽温范围内高精度的计时功能。
具有一个后备电池输入脚VBAT ，芯片依据不同的电压自动从VDD 切换到VBAT 或从VBAT 切换到VDD。
在VBAT 模式下，芯片具有中断输出允许或禁止的功能,可满足在备用电池供电时输出中断的需要。
内置IIC 总线0.5 秒自动复位功能(从Start 命令开始计时),保证时钟数据的有效性及可靠性,
避免IIC 总线挂死问题。
内置三个时钟数据写保护位, 避免对数据的误写操作，可更好地保护时钟数据。
内置VBAT 模式IIC 总线通信禁止功能，从而避免在电池供电时CPU 对时钟操作所消耗的电池电量，
也可避免在主电源上、下电的过程中因CPU 的I/O 端口所输出的不受控的杂波信号对时钟芯片
的误写操作，进一步提高时钟芯片的可靠性。
内置上电复位电路及指示位。
内置电源稳压,内部计时电压可低至1.5V。
芯片管脚抗静电(ESD)>4KV。
芯片在兴威帆的评估板上可通过4KV 的群脉冲(EFT)干扰。
CMOS 工艺
封装形式:SOP8。
（3）功能强大
功能如下：
a． 独有的强大定时中断功能，可设定并自动重置的单路报警中断功能（时间范围最长设至100 年）,
年、月、日、星期、时、分、秒报警共有96 种组合方式，并有单事件报警和周期性报警两种中
断输出模式。
b． 独有的在数字调整之下仍有秒输出的功能
c． 倒计时中断（3530、35390、1307、1208、5372、1302、1380、 M41T81 均没有）
d． 频率中断（1302、1380 均没有）
e． 电池输入脚（8563、5372、3530、35390、1380 均没有）
f． 12 字节用户通用RAM(8563、5372、3530、35390、1380、 M41T81 均没有)
g． 内置时钟精度数字调整功能（8563、3530、1208、1302、1307、1380、 M41T81 均没有）
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