我们公司的防爆控制柜内部可控硅损坏率（击穿）较高，其实也有阻容吸收保护，用细导线跟可控硅连接，可控硅耐压也应该没问题。请老师们给予指点。

       散热情况呢？

有热敏电阻吗？高压低压？多少伏的软启动

可能是瞬间电流大引起击穿。

防爆的柜子，内部的温度散不出来吧？捂得太严实了。

可控硅损坏的原因一般就是过电压，过电流，还有过热。

电源多数为660V，煤矿用的多，我的感觉是是否跟阻容取值有关， 或是跟安装方式有关。

无热敏电阻，有压敏，负荷不大无软启。

应该还是阻容不匹配吧

是啊，其损坏不外乎过热、过流、过压。
过热，可能为选取额定电流参数偏小，或环境散热不佳（如散热片螺栓松动，透风不良等），造成热量积累而损坏。可以监测运行温度确认。
过流，其表现同于过热，可检测运行电流确认。过流与过热的损坏均有一个升温过程。
过电压损坏，表现过程突然。若其它模块无明显温升，可以判断损坏模块系为过电压击穿所致。
现在的供电环境恶化（电网谐波严重），有些器件质量低劣，应用时注意扩容应用。此外，加装输入交流电抗器（目的是抑制电网谐波），对避免经常性损坏，有一定的作用。
电压吸收网络的阻容不匹配，也有可能，但不好确定其准确数值。按标准计算得出的参数，似乎不能适应今天的电气环境了。